W25Q01NWZEIQ TR

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品牌名称: Winbond(华邦)
商品型号: W25Q01NWZEIQ TR
商品编号: C6349612
商品封装: WSON-8(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.223克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电压	1.7V~1.95V
	页写入时间(Tpp)	3ms
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

该器件是一款1.8V 1Gb双模串行闪存，采用双倍数据速率（DTR）传输，支持标准、双路、四路串行外设接口（SPI）以及四路外设接口（QPI）模式。其工作时钟频率高达133MHz，在DTR模式下可达66MB/s。该器件提供灵活的3字节或4字节寻址模式，并包含软件和硬件复位功能。其安全特性包括每颗芯片64位的标识符、三个256字节的安全寄存器以及单独的块/扇区锁定机制。此外，该器件支持低功耗的深度掉电模式，并提供多种封装选项，包括8引脚WSON 8×6毫米、16引脚SOIC 300密耳以及24球TFBGA 8×6毫米（5×5球阵列）。

商品特性

支持单倍数据速率（STR）和双倍数据速率（DTR）传输
时钟频率：在STR模式下高达133MHz，在DTR模式下高达66MB/s
支持标准SPI、双路SPI、四路SPI和QPI接口
灵活的3字节或4字节寻址模式
软件复位指令和硬件复位引脚
每颗器件具有64位标识符
三个256字节的安全寄存器，支持OTP保护
单独的块/扇区锁定与解锁指令
全局块/扇区锁定与解锁指令
可配置的输出驱动强度
深度掉电模式（典型值1μA）
待机电流（典型值20μA）
工作电压范围：1.7V ~ 2.0V
工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
提供WSON8、SOIC16和TFBGA24封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	1Gbit
	时钟频率(fc)	133MHz