温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.98nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
QM0005D是最高性能的沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 QM0005D符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 电动工具应用
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