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QN4101M6N
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 136A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,136A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.844nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
QN4101M6N是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，采用极高的单元密度设计，具备低导通电阻（Rdson）和低栅极电荷特性。它非常适合用于同步降压转换器应用。QN4101M6N符合RoHS标准和绿色产品要求，同时具备全面的可靠性。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-提供绿色环保器件
应用领域
- 消费类/计算机/工业电源同步整流器-电机-负载开关