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QN4103M6N
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 255A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.45nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
QN4103M6N是一款高性能的沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 QN4103M6N符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 消费/计算/工业电源同步整流器
- 电机
- 负载开关