- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS5H600NLT1G-IRH1
NTMFS5H600NLT1G-IRH1
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5H600NLT1G-IRH1
- 商品编号
- C6346016
- 商品封装
- DFN(5x6)(8-5-SOFL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.23nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 电源管理开关应用