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STN4438(UMW)
60V N沟道MOSFET
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- 描述
- N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电源管理和其他需要高端开关的电池供电电路。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- STN4438(UMW)
- 商品编号
- C695831
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.226克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |