NP80N055MHE-S18-AY
1个N沟道 耐压:55V 电流:80A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP80N055MHE-S18-AY
- 商品编号
- C6344909
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W；120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
~~- 齐纳二极管输入保护-低导通电阻-超低阈值-低输入特性-低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 感性负载驱动器