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LKS523
600V半桥预驱动器
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- 描述
- LKS523是一款用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥预驱动器。它具有高端和低端输入，以及两个带有内部死区时间的输出通道，以避免交叉导通。
- 品牌名称
- LINKOSEMI(凌鸥创芯)
- 商品型号
- LKS523
- 商品编号
- C6337451
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11865克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 160ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 传播延迟 tpLH | 250ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.4V~10V |
商品概述
LKS523是一款用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥预驱动器。它具有高端和低端输入，以及两个带有内部死区时间的输出通道，以避免交叉导通。输入逻辑电平与3.3V/5V/15V信号兼容。浮动高端通道可驱动高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
商品特性
- 浮动通道工作电压高达600V
- 在负瞬态电压下性能稳定
- 栅极驱动电源范围为10V至20V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- 高端和低端均具备欠压锁定（UVLO）功能
- 内置100ns死区时间
- 采用SOP8封装
应用领域
- H桥逆变器