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SLMi335CG-DG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SLMi335CG-DG

集成电路

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描述
隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离栅极驱动器,用于碳化硅(SiC)/绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有有源保护功能,如去饱和检测、欠压锁定(UVLO)、隔离故障检测和有源米勒钳位。可提供4A峰值输出电流,具有自动故障复位功能。无后缀H的器件默认去饱和阈值为6.5V,带后缀H的器件为9V。输入侧电源工作范围为3V至18V,输出侧电源范围为14V至40V
商品型号
SLMi335CG-DG
商品编号
C6332183
商品封装
SOP-16W​
包装方式
编带
商品毛重
0.8532克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
负载类型IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压3V~18V
上升时间(tr)28ns
属性参数值
下降时间(tf)25ns
传播延迟 tpLH80ns
传播延迟 tpHL80ns
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP)
工作温度-40℃~+125℃
功能特性过流保护

商品概述

SLMi335隔离驱动器是一款先进的光耦兼容单通道隔离栅极驱动器,适用于SiC/IGBT,具备有源保护功能,例如去饱和检测、欠压锁定、隔离故障感应和有源米勒钳位。该驱动器可提供4A峰值输出电流,并具备自动故障复位功能。对于不带H后缀的器件,其默认去饱和阈值为6.5V;对于带H后缀的器件,则为9V。 输入侧电源工作电压范围为3V至18V,输出侧电源允许范围为14V至40V。所有电源电压引脚均具备欠压锁定保护功能。 内部去饱和故障检测可识别IGBT是否处于过流状态。当去饱和功能激活时,故障信号会穿过隔离屏障,将输入侧的FAULT输出拉低并阻断隔离器输入。当IGBT在采用双极性输出电源的正常运行期间关断时,输出会被钳位至VEE。如果输出电源为单极性,则可使用有源米勒钳位,使米勒电流通过低阻抗路径泄放,防止IGBT在高电压瞬态条件下被动态开启。输入侧与输出驱动器之间通过5kVrms增强型隔离屏障隔离,具有最小150kV/us的共模瞬态抗扰度。

商品特性

  • 4.0A 源/灌输出电流
  • 去饱和检测
  • 米勒钳位
  • 故障期间软关断
  • 故障自动复位
  • 80ns(典型值)传播延迟
  • 150kV/us(最小值)共模瞬态抗扰度
  • 输入侧电源范围:3V 至 18V
  • 输出侧电源范围:14V 至 40V
  • 引脚与光耦隔离IGBT栅极驱动器兼容
  • SOP16W封装,爬电距离和电气间隙 >8.0mm
  • 工作温度:-40℃ 至 +125℃
  • 安全认证:
    • 符合UL 1577标准的5kVRMS隔离(1分钟)
    • 符合GB4943.1-2011标准的CQC认证
    • 符合DIN V VDE 0884-11标准(计划中)

应用领域

  • 交流和无刷直流电机驱动
  • 可再生能源逆变器
  • 工业电源

数据手册PDF