SLMi335CG-DG
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- 描述
- 隔离驱动器是一种先进的光兼容单通道隔离栅极驱动器,用于碳化硅(SiC)/绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有有源保护功能,如去饱和检测、欠压锁定(UVLO)、隔离故障检测和有源米勒钳位。可提供4A峰值输出电流,具有自动故障复位功能。无后缀H的器件默认去饱和阈值为6.5V,带后缀H的器件为9V。输入侧电源工作范围为3V至18V,输出侧电源范围为14V至40V
- 品牌名称
- Sillumin(数明半导体)
- 商品型号
- SLMi335CG-DG
- 商品编号
- C6332183
- 商品封装
- SOP-16W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8532克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 3V~18V | |
| 上升时间(tr) | 28ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 传播延迟 tpLH | 80ns | |
| 传播延迟 tpHL | 80ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP);过流保护(OCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 过流保护 |
商品概述
SLMi335隔离驱动器是一款先进的光耦兼容单通道隔离栅极驱动器,适用于SiC/IGBT,具备有源保护功能,例如去饱和检测、欠压锁定、隔离故障感应和有源米勒钳位。该驱动器可提供4A峰值输出电流,并具备自动故障复位功能。对于不带H后缀的器件,其默认去饱和阈值为6.5V;对于带H后缀的器件,则为9V。 输入侧电源工作电压范围为3V至18V,输出侧电源允许范围为14V至40V。所有电源电压引脚均具备欠压锁定保护功能。 内部去饱和故障检测可识别IGBT是否处于过流状态。当去饱和功能激活时,故障信号会穿过隔离屏障,将输入侧的FAULT输出拉低并阻断隔离器输入。当IGBT在采用双极性输出电源的正常运行期间关断时,输出会被钳位至VEE。如果输出电源为单极性,则可使用有源米勒钳位,使米勒电流通过低阻抗路径泄放,防止IGBT在高电压瞬态条件下被动态开启。输入侧与输出驱动器之间通过5kVrms增强型隔离屏障隔离,具有最小150kV/us的共模瞬态抗扰度。
商品特性
- 4.0A 源/灌输出电流
- 去饱和检测
- 米勒钳位
- 故障期间软关断
- 故障自动复位
- 80ns(典型值)传播延迟
- 150kV/us(最小值)共模瞬态抗扰度
- 输入侧电源范围:3V 至 18V
- 输出侧电源范围:14V 至 40V
- 引脚与光耦隔离IGBT栅极驱动器兼容
- SOP16W封装,爬电距离和电气间隙 >8.0mm
- 工作温度:-40℃ 至 +125℃
- 安全认证:
- 符合UL 1577标准的5kVRMS隔离(1分钟)
- 符合GB4943.1-2011标准的CQC认证
- 符合DIN V VDE 0884-11标准(计划中)
应用领域
- 交流和无刷直流电机驱动
- 可再生能源逆变器
- 工业电源
- HB-PH1-127210PB2GOP
- HB-PH1-127211PB2GOP
- HB-PH1-127212PB2GOP
- HB-PH1-127213PB2GOP
- HB-PH1-127214PB2GOP
- HB-PH1-127215PB2GOP
- HB-PH1-127216PB2GOP
- HB-PH1-127217PB2GOP
- HB-PH1-127218PB2GOP
- HB-PH1-127219PB2GOP
- HB-PH1-127220PB2GOP
- HB-PH3-254112PB2GOP
- HB-PH3-25413PB2GOP
- HB-PH3-25414PB2GOP
- HB-PH3-25415PB2GOP
- HB-PH3-25416PB2GOP
- HB-PH3-25417PB2GOP
- HB-PH3-25418PB2GOP
- HB-PH3-25419PB2GOP
- HB-PH3-254110PB2GOP
- HB-PH3-254111PB2GOP


