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PM3400
30V N沟道MOSFET
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- 描述
- PM3400采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- PN SILICON(智晶)
- 商品型号
- PM3400
- 商品编号
- C694857
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 11NM70 是一款超结 MOSFET 结构器件，旨在具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 DC-DC、AC-DC 转换器中。
商品特性
- 在栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 5.5 A 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 0.58 Ω
- 采用超结结构
- 快速开关
- 经过 100% 雪崩测试
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