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PM2302
20V N沟道MOSFET
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- 描述
- PM2302采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻[RDS(ON)]。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- PN SILICON(智晶)
- 商品型号
- PM2302
- 商品编号
- C694851
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。多外延SJ MOSFET提供了一种开关、通信和传导损耗极低的器件，其高稳健性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热良好。
商品特性
- 极低的品质因数（导通状态下漏源电阻×栅极电荷）
- 100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
- 集成ESD保护二极管
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)-充电器
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