商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.2 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 100 V）
- 增强型：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）
应用领域
- 汽车领域
- 开关稳压器
- 电机驱动器
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