VF20100S-M3/4W

高压TMBS（沟槽MOS势垒肖特基）整流器。在IF = 5 A时，超低VF = 0.446 V。采用D²PAK（TO - 263AB）和ITO - 220AB封装，型号有VB20100S、VF20100S。

• 采用沟槽MOS肖特基技术
• 正向压降低，功率损耗低，运行效率高
• 热阻低
• 符合J - STD - 020标准的MSL 1级，LF最大峰值为245°C（适用于D²PAK（TO - 263AB）封装）
• 按照JESD 22 - B106标准，焊锡浴温度最高275°C，持续10 s（适用于ITO - 220AB封装）

用于高频转换器、开关电源、续流二极管、或二极管、DC/DC转换器和反接电池保护。