MT58L256V36FS-7.5

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT58L256V36FS-7.5
商品编号: C6313774
商品封装: TQFP-100(14x20.1)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

SyncBurst SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计，使用先进的CMOS工艺制造。8Mb SyncBurst SRAM集成了512Kx18、256Kx32或256Kx36 SRAM内核，配备先进的同步外围电路和2位突发计数器。所有同步输入通过由正边沿触发单时钟输入控制的寄存器。同步输入包括所有地址、所有数据输入、低有效片选、两个用于简化深度扩展的附加片选、突发控制输入、字节写使能和全局写。注意，T版本不提供CE2#。异步输入包括输出使能、时钟和休眠使能。还有一个突发模式输入，用于选择交错或线性突发模式。由输出使能启用的数据输出也是异步的。写周期可控制为一到两个字节宽或一到四个字节宽。突发操作可由地址状态处理器或地址状态控制器输入启动。后续突发地址可由突发提前输入控制内部生成。地址和写控制片上注册，以简化写周期，实现自定时写周期。独立字节使能允许单独字节写入。在x18器件写周期中，BWa#控制DQa引脚和DQPa；BWb#控制DQb引脚和DQPb。在x32和x36器件写周期中，BWa#控制DQa引脚和DQPa；BWb#控制DQb引脚和DQPb；BWc#控制DQc引脚和DQPc；BWd#控制DQd引脚和DQPd。GW#为低时，所有字节被写入。奇偶校验位仅在x18和x36版本中可用。8Mb SyncBurst SRAM采用+3.3V VDD电源供电，所有输入和输出TTL兼容。用户可选择3.3V或2.5V I/O版本。该器件适用于486、Pentium、680x0和PowerPC系统，以及受益于宽同步数据总线的系统。该器件也适用于通用的16位、18位、32位、36位、64位和72位宽应用。

商品特性

快速时钟和输出使能访问时间
单路+3.3V +0.3V/-0.165V电源
独立的+3.3V或+2.5V隔离输出缓冲器电源
休眠模式，用于降低待机功耗
共用数据输入和数据输出
独立字节写控制和全局写
三个片选，用于简化深度扩展和地址流水线
时钟控制和注册的地址、数据输入/输出和控制信号
内部自定时写周期
突发控制
便携式应用的自动断电
100引脚TQFP封装
165引脚FBGA封装
低电容总线负载
提供x18、x32和x36版本

应用领域

486系统
奔腾系统
680x0系统
PowerPC系统
通用16、18、32、36、64和72位宽应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	8Mbit

	属性	参数值
	工作电压	3.135V~3.6V
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动掉电功能