SPU04N60C3-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道功率场效应晶体管,采用Plannar技术,适用于高性能功率电子应用。TO251;N—Channel沟道,650V;4A;RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=3.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SPU04N60C3-VB商品编号
C693431商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
0.66克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 9W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 48nC@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.912nF@1.0V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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