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MMIX1F160N30T实物图
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MMIX1F160N30T

MMIX1F160N30T

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商品型号
MMIX1F160N30T
商品编号
C6306101
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)102A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)570W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)376nC@10V
输入电容(Ciss)24.5nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 硅芯片置于直接覆铜陶瓷基板(DCB)上
  • 隔离基板
  • 出色的热传递性能
  • 增强的温度和功率循环能力
  • 高隔离电压(约2500V)
  • 极高的电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式UPS
  • 初级侧开关
  • 高速功率开关应用

数据手册PDF