STS9NF3LL
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS9NF3LL
- 商品编号
- C6303498
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款专用功率MOSFET采用独特的“单特征尺寸TM”条形工艺的第二代技术。由此产生的晶体管在导通电阻和栅极电荷之间实现了最佳平衡。当在降压稳压器中用作高端和低端开关时,它在传导损耗和开关损耗方面均表现出色。这对于要求快速开关和高效率的主板尤为重要。
商品特性
- 典型RDS(on) = 0.016 Ω
- 在4.5V下实现最佳RDS(on) × Qg平衡
- 降低传导损耗
- 降低开关损耗
应用领域
- 专为移动PC的高效CPU核心DC/DC转换器设计并优化
相似推荐
其他推荐