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SSM3J355R,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：1.8V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 36.0mΩ（典型值）(VGS = -1.8V)。 -RDS(ON) = 28.0mΩ（典型值）(VGS = -2.5V)。 -RDS(ON) = 23.0mΩ（典型值）(VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J355R,LF
- 商品编号
- C6302644
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30.1mΩ@4.5V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.03nF@10V | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 湿度敏感度等级1级
- 无卤素，“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准