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DMT3009LFVW-7
1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3009LFVW-7
- 商品编号
- C692145
- 商品封装
- PowerDI-3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 823pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 352pF |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。多外延超结MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件，具备极高的稳健性，尤其能使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且低温运行。
商品特性
- 低RDS(ON)—— 确保将导通损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可使终端产品体积更小
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 完全无铅,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器
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