- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
M25PE10-VMN6P
M25PE10-VMN6P
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- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- M25PE10-VMN6P
- 商品编号
- C6292492
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 3ms | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 1Mb 或 2Mb 页可擦除闪存
- 2.7V 至 3.6V 单电源电压
- 兼容 SPI 总线的串行接口
- 75 MHz 时钟速率（最大值）
- 页大小：256 字节
- 页写入时间 11ms（典型值）
- 页编程时间 0.8ms（典型值）
- 页擦除时间 10ms（典型值）
- 子扇区擦除：32Kb
- 扇区擦除：512Kb
- 批量擦除：M25PE10 为 1Mb；M25PE20 为 2Mb
- 深度掉电模式：1 μA（典型值）
- 电子签名
- JEDEC 标准 2 字节签名（M25PE20 为 8012h；M25PE10 为 8011h）
- 基于 64KB 扇区的软件写保护
- 每个扇区超过 100,000 次写循环
- 超过 20 年的数据保存期
- 使用 BP0 和 BP1 位选择存储区域的硬件写保护
- 封装（符合 RoHS 标准）
- SO8N (MN) 150 mil 宽度
- VFQFPN8 (MP) 6mm × 5mm
- 提供汽车级部件
- M29F160FB5AN6F2
- TSW-104-22-S-S-NA
- M28V_7A1AI
- TSW-104-22-T-D-RA
- TSW-104-22-T-S-LA
- M2DA-500Y
- M2022EA2G40
- TSW-104-22-T-S-RA
- M2GL010TS-FGG484
- TSW-104-23-L-T
- M2GL050T-VF400
- M2022LL3W01-C
- M2GL060-VFG400
- M2022S2A2G26
- M2GL060TS-1FGG676
- M2GL060TS-FGG484I
- M2022S3S2W30
- M2GL090T-1FGG484
- TSW-104-25-F-D-002
- M2GL090T-FGG484I
- TSW-104-25-F-D-NA