商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 比较器数 | 四路 | |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 1pA | |
| 传播延迟(tpd) | 200ns | |
| 滞后电压(Vhys) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 输出类型 | - | |
| 输出模式 | MOS；CMOS；TTL | |
| 静态电流(Iq) | 45uA | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
这些器件由四个独立的精密电压比较器组成，设计用于单电源或双电源供电。 这些差分比较器采用硅线性MOS工艺，具有出色的功耗 - 速度比。 这些器件非常适合低功耗应用。
商品特性
- 宽单电源范围或双电源：3V至16V或±1.5V至±8V
- 极低的电源电流：每个比较器0.1mA，与电源电压无关
- 极低的输入偏置电流：典型值为1pA
- 极低的输入失调电流：典型值为1pA
- 低输入失调电压
- 输入共模电压范围包含地
- 低输出饱和电压：典型值为150mV
- 输出与TTL、MOS和CMOS兼容
- 高输入阻抗：典型值为10^12Ω
- 快速响应时间：对于TTL电平输入阶跃，典型值为200ns
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