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RSQ035N03HZGTR实物图
  • RSQ035N03HZGTR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RSQ035N03HZGTR

1个N沟道 耐压:30V 电流:3.5A

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描述
特性:低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小尺寸表面贴装封装(TSMT6)。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 通过AEC-Q101认证。应用:开关
品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RSQ035N03HZGTR
商品编号
C6288152
商品封装
TSMT6(SC-95)​
包装方式
编带
商品毛重
0.044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on))62mΩ@10V,3.5A
属性参数值
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)7.4nC@5V
输入电容(Ciss)290pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AOD407采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = - 60V,ID = - 10A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 140 mΩ

应用领域

  • 无刷电机
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF