温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
TPB65R070D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 312W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.134nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+￥18.95
10+￥15.79
30+￥13.82￥691
100+￥11.79￥589.5
500+￥10.88￥544
1000+￥10.48￥524
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
0
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个 )个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
精选推荐
![WZ-100[800G]0.8mm](https://alimg.szlcsc.com/upload/public/product/breviary/20230204/F5C23B64924F8AED3185B6C36DF2894A.jpg)
咨询客服- 优惠券
- 芯媒体
- 建议反馈
- 投诉意见
- 收起