TPD50R3K8D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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