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IRF620SPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:5.2A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其较低的内部连接电阻，D2PAK (TO-263)适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0 W的功率。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF620SPBF
- 商品编号
- C6280094
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W；50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流（DC/DC）转换器优化的技术
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- N沟道、逻辑电平
- 出色的栅极电荷 × 导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 雪崩额定
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤