SW06GSZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 1:1 | |
| 工作电压 | -15V~15V | |
| 导通时间(ton) | 1us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 100Ω | |
| 关闭时间(toff) | 500ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 15pF |
商品概述
SW06是一款四通道单刀单掷模拟开关,采用双极型和离子注入FET器件。SW06的FET开关使用双极型数字逻辑输入,比CMOS器件更抗静电。SW06的设计和制造技术使其具备坚固耐用和高可靠性的特点。 出色的电气规格进一步提升了其可靠性。通过最小化“导通”电阻并控制高温下的泄漏电流,减少了潜在的误差源。开关FET在20V模拟信号范围内以及电源电压变化时,其导通电阻(RON)变化极小。该开关可采用单正极电源电压供电。当V+ = 36V,V- = 0V时,模拟信号范围可从地延伸至+32V。 PNP逻辑输入与TTL和CMOS兼容,使SW06可用于升级现有设计。逻辑和逻辑“1”输入电流处于微安级别,降低了对CMOS和TTL逻辑的负载。
商品特性
- 两个常开和两个常闭单刀单掷开关,具备禁用功能
- 开关可轻松配置为双掷单刀或双刀双掷开关
- 高度抗静电放电损坏
- 比模拟开关具有更高的抗辐射能力
- 采用MOS器件设计
- 保证导通电阻匹配:最大10%
- 保证开关速度:导通时间(Ton)最大500ns,关断时间(Toff)最大400ns
- 保证先断后通切换
- 低“导通”电阻:最大80Ω
- 导通电阻随模拟输入电压的变化小:5%
- 低总谐波失真:0.01%
- 高温下低泄漏电流:TA = +125℃时最大100nA,TA = +85℃时最大30nA
- 数字输入与TTL/CMOS兼容且独立
- 规格改进,引脚与LF - 11333/13333兼容
- 支持双电源或单电源供电
- 提供裸片形式
优惠活动
购买数量
(47个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个47个/管
总价金额:
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