PMXB56EN147
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 209pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为无引脚超小型DFN1010D - 3（SOT1215）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽式MOSFET技术
- 无引脚超小型超薄SMD塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- 漏极焊盘外露,导热性能出色
- 极低的漏源导通电阻RDSon = 49 mΩ
- 开关速度极快
应用领域
-便携式设备的低端负载开关和充电开关-电池供电便携式设备的电源管理-LED驱动器-DC-DC转换器
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