PGAD1S03H

PGAD1S03H 是一款采用表面贴装封装的 905 nm 脉冲半导体激光器，属于适用于激光和测距的高功率激光二极管系列。该器件采用多层单片芯片设计，在近红外 905 nm 波长处发光。其改进的 GaAs 衬底结构在 10 A 驱动电流下可提供 8 W 脉冲峰值功率。多层芯片设计的有效激光尺寸为 75 µm × 1 µm，通过单条激光线发射，能够从小孔径输出高功率。激光芯片采用金属有机化学气相沉积工艺制造。该环氧树脂封装的 LLC 无引线层压载体封装，是对 PGA 系列气密金属或 T1¾ 塑料封装外延腔激光器的补充，非常适合大批量应用。光束传播在垂直于芯片表面的方向上具有 25° 发散角，在平行于芯片表面的方向上具有 7.5° 发散角。输出功率在宽温度范围内表现出优异的稳定性。其量子阱激光器设计提供远小于 1 ns 的上升和下降时间。然而，驱动电路布局和安装电感起主导作用，应根据所需的光脉冲宽度进行设计。905 nm 的峰值波长位于大多数硅光电二极管最大响应度附近。该激光二极管特别适合与 Excelitas EPI-APD C30737 系列器件匹配使用。此激光二极管非常适合成本为主要考量且需要大批量生产能力的应用。未安装到电路中的激光芯片无法发光。发光需要将其安装到电驱动电路中。激光二极管的发光输出与正向偏置脉冲电流成正比。使大电流在纳秒级时间内流过激光器的一种简单方法是通过闭合 GaN-FET 将大电容放电至激光器。建议使用低侧驱动器来操作激光器。电容上的电压和放电时间将决定激光器中的电流。激光器在室温或低于室温时将获得最佳长期可靠性。应提供足够的散热，尤其是在最大占空比下工作时。当需要窄脉冲宽度时，系统设计人员必须注意将电路电感保持在最低水平。保持低电感将降低获得所需驱动电流所需的峰值电压。

• 发射尺寸小，便于光学耦合
• 单条激光线，75 µm 有效激光长度
• 支持侧面和顶部安装
• 发射源尺寸集中，可实现高功率孔径输出
• 量子阱结构
• 优异的功率温度稳定性
• 符合 RoHS 标准

• 飞行时间测量
• 激光测距
• 激光扫描
• 红外夜视照明
• 激光治疗