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PE44820B-X实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PE44820B-X

8位射频数字移相器,1.7-2.2 GHz

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描述
是一款采用HaRP技术增强的8位数字移相器(DPS),适用于广泛的应用领域,包括波束赋形网络、分布式天线系统、有源天线系统和相控阵应用。该DPS在1.4度步进下覆盖358.6度的相位范围,在1.7-2.2 GHz的标称频段内保持出色的相位和幅度精度。还能够在1.1-3.0 GHz的窄带应用中进行扩展频率操作。集成数字控制接口支持相位设置的串行和并行编程
商品型号
PE44820B-X
商品编号
C6250847
商品封装
QFN-32(5x5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.291486克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录RF其它IC和模块
应用领域雷达
功能移相器
频率1.7GHz~2.2GHz
属性参数值
工作电压2.3V~5.5V;3.3V~5.5V
工作温度-40℃~+105℃
功能特性-

商品概述

PE44820 是一款基于 HaRP 技术增强的 8 位数字移相器,设计用于广泛的应用领域,包括:波束成形网络、分布式天线系统、有源天线系统和相控阵应用。该数字移相器以 1.4 度为步进,覆盖 358.6 度的相位范围,在 1.7–2.2 GHz 的标称频段内保持优异的相位和幅度精度。PE44820 还能够支持 1.1–3.0 GHz 的扩展频段操作,适用于窄带应用。集成的数字控制接口支持串行和并行编程来设置相位。PE44820 还提供外部负电源选项,以实现更快的开关频率,并采用 32 引脚 5×5×0.85 mm QFN 封装。此外,如果射频端口存在 0 VDC 电压,则无需外部隔直电容。PE44820 采用 pSemi 的 UltraCMOS 工艺制造,这是一种基于蓝宝石衬底的绝缘体上硅技术的专利变体。pSemi 的 HaRP 技术增强提供了高线性度和优异的谐波性能。它是 UltraCMOS 工艺的一项创新特性,兼具 GaAs 的性能与传统 CMOS 的经济性和集成度。

商品特性

  • 8 位全范围移相器,相位位:358.6°、180°、90°、45°、22.5°、11.2°、5.6°、2.8° 和 1.4°
  • 低 RMS 相位和幅度误差:RMS 相位误差 1.0°,RMS 幅度误差 0.1 dB
  • 高线性度,+60 dBm IIP3
  • 扩展的窄带频率操作范围:1.1–3.0 GHz
  • 工作温度高达 +105 °C
  • 封装:32 引脚 5×5×0.85 mm QFN

应用领域

  • 基站收发器
  • 有源天线阵列

数据手册PDF