P3M12160K3
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:19A
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- 品牌名称
- PN Junction
- 商品型号
- P3M12160K3
- 商品编号
- C6249948
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.8nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.032nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@800V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- Qgd/Qgs比 < 0.25
- 可使用逻辑电平栅极驱动
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电源
- 次级同步整流
- DC/DC转换器
- 电动工具
- 电机驱动开关
- DC/AC逆变器
- 电池管理
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