NTMFS4926NET1G
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- 品牌名称
- SANYOU(三友)
- 商品型号
- NTMFS4926NET1G
- 商品编号
- C6249252
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.004nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 119pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款采用SuperMESHTM技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET，通过对成熟的基于条形的PowerMESHTM布局进行优化实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还针对最严苛的应用场景，确保了高水平的dv/dt能力。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
- 双面散热能力
- 针对5 V、12 V栅极驱动进行优化
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-CPU电源供应-DC-DC转换器