我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
LTC4444HMS8E-5#PBF实物图
  • LTC4444HMS8E-5#PBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LTC4444HMS8E-5#PBF

高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
LTC4444HMS8E-5#PBF
商品编号
C688580
商品封装
MSOP-8-EP​
包装方式
管装
商品毛重
0.287克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)-
属性参数值
拉电流(IOH)-
工作电压4.5V~13.5V
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)5ns
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

LTC4444-5是一款高频高压栅极驱动器,可在同步DC/DC转换器中驱动两个N沟道MOSFET,其电源电压最高可达100V。这款强大的驱动器可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。 LTC4444-5配置有两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部进行电平转换,以连接自举电源,该电源可在高于地电位114V的电压下工作。 LTC4444-5包含欠压锁定电路,激活时可禁用外部MOSFET。自适应直通保护可防止两个MOSFET同时导通。

商品特性

  • 自举电源电压高达114V
  • 宽VCC电压范围:4.5V至13.5V
  • 自适应直通保护
  • 1.4A峰值高端栅极上拉电流
  • 1.75A峰值低端栅极上拉电流
  • 1.5Ω高端栅极驱动器下拉电阻
  • 0.75Ω低端栅极驱动器下拉电阻
  • 驱动1nF负载时,高端栅极下降时间为5ns
  • 驱动1nF负载时,高端栅极上升时间为8ns
  • 驱动1nF负载时,低端栅极下降时间为3ns
  • 驱动1nF负载时,低端栅极上升时间为6ns
  • 可驱动高端和低端N沟道MOSFET
  • 欠压锁定
  • 采用热增强型8引脚MSOP封装

应用领域

  • 分布式电源架构
  • 汽车电源
  • 高密度电源模块
  • 电信系统

数据手册PDF

交货周期

订货15-17个工作日

购买数量

(50个/管,最小起订量 1000 个)
起订量:1000 个50个/管

总价金额:

0.00

近期成交0