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LTC4442IMS8E-1#TRPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LTC4442IMS8E-1#TRPBF

高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

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品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
LTC4442IMS8E-1#TRPBF
商品编号
C688573
商品封装
MSOP-8-EP​
包装方式
编带
商品毛重
0.206克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)-
属性参数值
拉电流(IOH)2.4A
工作电压6V~9.5V
上升时间(tr)12ns
下降时间(tf)8ns
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

LTC4442是一款高频栅极驱动器,专为在同步降压DC/DC转换器拓扑中驱动两个N沟道MOSFET而设计。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。

LTC4442的输入逻辑采用独立电源,以匹配控制器IC的信号摆幅。若未驱动输入信号,LTC4442将启动关断模式,关闭两个外部MOSFET。输入逻辑信号在内部被电平转换至自举电源,该电源可在高于地电位最高42V的电压下工作。

LTC4442在驱动器和逻辑电源上均设有欠压锁定电路,当出现欠压情况时,会关闭外部MOSFET。LTC4442和LTC4442 - 1具有不同的欠压锁定阈值,以适应各种应用。此外,还内置了自适应直通保护功能,可防止因MOSFET交叉导通电流导致的功率损耗。

LTC4442/LTC4442 - 1采用散热增强型8引脚MSOP封装。

商品特性

  • 宽电压范围:6V至9.5V
  • 最大输入电源电压38V
  • 自适应直通保护
  • 2.4A峰值上拉电流
  • 5A峰值下拉电流
  • 驱动3000pF负载时,TG下降时间为8ns
  • 驱动3000pF负载时,TG上升时间为12ns
  • 独立电源以匹配PWM控制器
  • 驱动双N沟道MOSFET
  • 欠压锁定
  • 散热增强型MSOP封装

应用领域

  • 分布式电源架构
  • 高密度电源模块

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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