LTC4442EMS8E-1#PBF
高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC4442EMS8E-1#PBF
- 商品编号
- C688568
- 商品封装
- MSOP-8-EP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 2.4A | |
| 工作电压 | 6V~9.5V | |
| 上升时间(tr) | 12ns | |
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
LTC4442是一款高频栅极驱动器,专为在同步降压DC/DC转换器拓扑中驱动两个N沟道MOSFET而设计。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。
LTC4442的输入逻辑采用独立电源,以匹配控制器IC的信号摆幅。若未驱动输入信号,LTC4442将启动关断模式,关闭两个外部MOSFET。输入逻辑信号在内部被电平转换至自举电源,该电源可在高于地电位最高42V的电压下工作。
LTC4442在驱动器和逻辑电源上均设有欠压锁定电路,当出现欠压情况时,会关闭外部MOSFET。LTC4442和LTC4442 - 1具有不同的欠压锁定阈值,以适应各种应用。此外,还内置了自适应直通保护功能,可防止因MOSFET交叉导通电流导致的功率损耗。
LTC4442/LTC4442 - 1采用散热增强型8引脚MSOP封装。
商品特性
- 宽电压范围:6V至9.5V
- 最大输入电源电压38V
- 自适应直通保护
- 2.4A峰值上拉电流
- 5A峰值下拉电流
- 驱动3000pF负载时,TG下降时间为8ns
- 驱动3000pF负载时,TG上升时间为12ns
- 独立电源以匹配PWM控制器
- 驱动双N沟道MOSFET
- 欠压锁定
- 散热增强型MSOP封装
应用领域
- 分布式电源架构
- 高密度电源模块
交货周期
订货15-17个工作日购买数量
(50个/管,最小起订量 1000 个)个
起订量:1000 个50个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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