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LTC4359CDCB#TRPBF
具反向输入保护功能的理想二极管控制器
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- 描述
- 是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，确保即使在轻负载下也能平稳输送电流而无振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还能轻松在具有冗余电源的系统中实现电源并联。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC4359CDCB#TRPBF
- 商品编号
- C688233
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 4V~80V | |
| 反向耐压 | 40V | |
| FET类型 | 外置FET | |
| 通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极驱动电压 | 12V | |
| 正向压降(Vf) | 30mV | |
| 静态电流(Iq) | 9uA | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 灌电流(IOL) | 130mA |
商品概述
LTC4359是一款正高压理想二极管控制器，可驱动外部N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。它控制MOSFET两端的正向压降，确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流且无振荡。若电源发生故障或短路，快速关断功能可将反向电流瞬变降至最低。该器件具备关断模式，在用作负载开关时可将静态电流降至9μA，在理想二极管应用中可降至14µA。 在大电流二极管应用中，LTC4359可降低功耗、散热、电压损耗和PCB面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力以及高温度额定值，LTC4359满足了汽车和电信应用的严苛要求。LTC4359还能轻松实现冗余电源系统中电源的“或”操作。
商品特性
- 用功率肖特基二极管替代方案降低功耗
- 宽工作电压范围：4V至80V
- 反向输入保护至 -40V
- 低关断电流9µA
- 低工作电流150µA
- 无振荡的平滑切换
- 控制单个或背对背N沟道MOSFET
- 提供6引脚（2mm×3mm）DFN、8引脚MSOP和8引脚SO封装
- 通过AEC-Q100汽车应用认证
应用领域
- 汽车电池保护
- 冗余电源
- 电源保持
- 电信基础设施
- 计算机系统/服务器
- 太阳能系统