LTC4352HMS#PBF
具监视功能的低电压理想二极管控制器
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- 描述
- 创建接近理想的二极管,使用外部 N 沟道 MOSFET。取代高功率肖特基二极管和相关散热器,节省功率和电路板面积。理想二极管功能允许低损耗功率 OR 操作和电源保持应用。调节 MOSFET 两端的正向压降,确保在二极管 OR 应用中实现平滑的电流转移
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC4352HMS#PBF
- 商品编号
- C688180
- 商品封装
- MSOP-12-0.65mm
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.312897克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 理想二极管 | |
| 通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.9V~18V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过压保护(OVP);欠压保护(UVP) |
商品概述
LTC4352采用外部N沟道MOSFET构建近乎理想的二极管。它可替代高功率肖特基二极管及其相关散热片,节省功率和电路板空间。理想二极管功能适用于低损耗功率“或”操作和电源保持应用。 LTC4352调节MOSFET两端的正向压降,以确保在二极管“或”应用中实现平稳的电流传输。快速导通可减少电源切换期间的负载电压降。若输入电源故障或短路,快速关断可将反向电流降至最低。 该控制器可在2.9V至18V的电源下工作。对于较低电压,需要在VCC引脚提供外部电源。在欠压或过压条件下,功率通路将被禁用。该控制器还具备开路MOSFET检测电路,可标记导通状态下通晶体管两端的过大压降。REV引脚可启用反向电流,在需要时可覆盖二极管特性。
商品特性
- 功率二极管的低损耗替代品
- 控制N沟道MOSFET
- 0V至18V电源“或”操作或保持
- 0.5μs导通和关断时间
- 欠压和过压保护
- 开路MOSFET检测
- 状态和故障输出
- 热插拔
- 反向电流使能输入
- 12引脚MSOP和DFN(3mm×3mm)封装
应用领域
- 冗余电源
- 电源保持
- 电信基础设施
- 计算机系统和服务器
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