N0412N-S19-AY
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- N0412N-S19-AY
- 商品编号
- C6242775
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W；119W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.55nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻：漏源导通电阻（RDS(on)）= 最大3.7 mΩ（VGS = 10 V，ID = 50 A）
- 低输入电容（Ciss）：Ciss = 典型值5550 pF（VDS = 25 V，VGS = 0 V）
- 高电流：直流漏极电流（ID(DC)）= ± 100 A
- 符合RoHS标准
- 质量等级：标准
应用领域
-用于大电流开关
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