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STU9HN65M2
1个N沟道 耐压:650V 电流:5.5A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU9HN65M2
- 商品编号
- C6240960
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 820mΩ@10V,2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF@100V |
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