STFI13NK60Z
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFI13NK60Z
- 商品编号
- C6240836
- 商品封装
- I2PAKFP(TO-281)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 1.5 V栅极驱动电压。
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 88.1 mΩ（最大值）（@ VGS = -1.5 V）
- RDS(ON) = 56.0 mΩ（最大值）（@ VGS = -1.8 V）
- RDS(ON) = 39.3 mΩ（最大值）（@ VGS = -2.5 V）
- RDS(ON) = 32.0 mΩ（最大值）（@ VGS = -4.5 V）
应用领域
- 电源管理开关