商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款采用SuperMESHTM技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET,通过对成熟的基于条形的PowerMESHTM布局进行优化实现。除了显著降低导通电阻外,该器件还针对最严苛的应用场景,确保了高水平的dv/dt能力。
商品特性
- 全绝缘、薄型封装,引脚到散热板的爬电距离增加
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
应用领域
- 开关应用
- SXT11410DD27-27.000M
- STGP30NC60K
- SXT11410DD38-32.000M
- STH11K33F16-26.000M
- STH11K33F16-38.400M
- SXT11410EA07-27.120M
- STH11K33O27-38.400M
- STH11K33R07-26.000M
- STH11K33R16-38.400M
- STH21K33F16-19.200M
- STH21K33F27-26.000M
- SXT11410EA27-26.000M
- STH21K33F38-38.400M
- SXT11410EA27-27.120M
- STH21K33O16-32.000M
- STH21K33O38-26.000M
- SXT11410EB16-24.000M
- STH21K33P16-38.400M
- STH21K33P38-26.000M
- SXT11410EB17-30.000M
- STH21K33Q07-32.000M