LTC4229IUFD#PBF
理想二极管和热插拔控制器
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- 描述
- 提供理想二极管和热插拔功能,通过控制两个外部N沟道MOSFET实现。MOSFET作为理想二极管取代高功率肖特基二极管及其相关散热器,节省功率和电路板面积。热插拔MOSFET控制允许通过限制浪涌电流将电路板安全地插入和移除带电背板。电源输出还通过快速作用的折返电流限制和电子断路器来防止短路故障。调节外部MOSFET上的正向电压降,以确保在二极管或应用中实现平稳的电流传输。理想二极管快速导通,以减少电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供可调启动延迟、欠压和过压保护,并报告电源的故障和电源良好状态。可以配置为故障后锁存关闭或自动重试。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC4229IUFD#PBF
- 商品编号
- C687609
- 商品封装
- QFN-24(4x5)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 浪涌保护器 | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作电压 | 2.9V~18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 安装方式 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
LTC4229 通过控制两个外部 N 沟道 MOSFET,为电源轨提供理想二极管和热插拔功能。作为理想二极管的 MOSFET 可以替代高功率肖特基二极管及其相关散热器,节省了功耗和电路板面积。热插拔 MOSFET 控制允许在带电背板上安全地插入和移除电路板,通过限制涌入电流来实现。
LTC4229 调节外部 MOSFET 上的正向电压降,以确保在二极管或应用中平滑地转移电流。理想二极管快速导通,以减少电源切换期间的负载电压下降。如果输入电源故障或短路,快速关断可以最小化反向电流瞬变。
LTC4229 提供可调启动延迟、欠压和过压保护,并报告电源的故障和电源良好状态。它可以配置为故障后锁定关闭或自动重试。
应用领域
- 冗余电源
- 电源保持能力
- 高可用性系统和服务器
- 电信和网络基础设施
- 电源优先级设定器
优惠活动
购买数量
(73个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个73个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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