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MG12100S-BN2MM引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MG12100S-BN2MM

MG12100S-BN2MM

商品型号
MG12100S-BN2MM
商品编号
C6226159
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)450W
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)140A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.9V;1.7V
栅极阈值电压(Vge(th))5V;6.5V
栅极电荷量(Qg)900nC
属性参数值
输入电容(Cies)7.1nF
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)300pF
开启延迟时间(Td(on))290ns;260ns
关断延迟时间(Td(off))420ns;520ns
导通损耗(Eon)7.8mJ;1mJ
关断损耗(Eoff)8mJ;10mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+125℃

商品特性

  • 高短路能力,自限短路电流
  • IGBT3芯片(沟槽+场截止技术)
  • 具有正温度系数的VCE(sat)
  • 快速开关和短拖尾电流
  • 具有快速软恢复特性的续流二极管
  • 低开关损耗

应用领域

  • 高频开关应用
  • 医疗应用
  • 运动/伺服控制
  • UPS系统

数据手册PDF