LTC3718EG#TRPBF
用于 DDR/QDR 存储器终端的低输入电压 DC/DC 控制器
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- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC3718EG#TRPBF
- 商品编号
- C685748
- 商品封装
- SSOP-24-208mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.301克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 1.5V~36V | |
| 输出电流 | - | |
| 开关频率 | 300kHz~1.8MHz | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 是 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 开关管(内置/外置) | 外置 | |
| 输出类型 | - |
商品概述
一款用于DDR和QDR内存终端的高电流、高效率同步开关稳压器控制器。它可在低至1.5V的输入电压下工作,并提供等于(0.5)VIN的稳压输出电压。该控制器采用谷值电流控制架构,可实现高频操作,导通时间极短,且无需检测电阻。工作频率由外部电阻选择,并针对VIN和VOUT的变化进行补偿。它使用一对标准的5V逻辑电平N沟道外部MOSFET,无需使用昂贵的P沟道或低阈值器件。 强制连续操作可降低噪声和射频干扰。内部折返式电流限制、输出过压比较器和可选的短路定时器提供故障保护。使用外部定时电容可实现电源排序的软启动功能。OPTI-LOOP补偿可在广泛的负载和输出电容范围内优化瞬态响应。
商品特性
- 极低的VIN(MIN):1.5V
- 超快瞬态响应
- 真正的电流模式控制
- N沟道MOSFET的5V驱动无需辅助5V电源
- 无需检测电阻
- 使用标准5V逻辑电平N沟道MOSFET
- VOUT(MIN):0.4V
- VOUT跟踪1/2 VIN或外部VREF
- 对称的源极和漏极输出电流限制
- 可调开关频率
- tON(MIN) <100ns
- 电源正常输出电压监控
- 可编程软启动
- 输出过压保护
- 可选的短路关断定时器
- 小型24引脚SSOP封装
应用领域
- 总线终端:DDR/QDR内存、SSTL、HSTL等,服务器、RAID系统
- 分布式电源系统
- 通用升压同步降压
优惠活动
购买数量
(1800个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1800个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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