S70FL256P0XMFI000
S70FL256P0XMFI000
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- 商品型号
- S70FL256P0XMFI000
- 商品编号
- C6214855
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 4.483333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 500uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 5us | |
| 块擦除时间(tBE) | 4.27min | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；软件写保护 |
商品概述
本产品不建议用于新设计和现有设计。对于新设计和现有设计，S25FL256S 取代 S70FL256P。这是工厂推荐的迁移路径。有关规格和订购信息，请参考 S25FL256S 数据手册，有关从基于 S70FL256P 的现有设计迁移所需的更改，请参考 AN98592。
商品特性
- 架构优势
- 单电源操作：全电压范围 2.7 至 3.6V 读写操作
- 存储架构：统一的 64 kB 扇区，每个闪存芯片有顶部或底部参数块（两个 64 kB 扇区，每个扇区分为十六个 4 kB 子扇区）；统一的 256 kB 扇区（无 4 kB 子扇区）；256 字节页大小
- 编程：页编程（最多 256 字节）典型 1.5 ms；按页进行编程操作；通过 9V W#/ACC 引脚实现加速编程模式；四路页编程
- 擦除：每个闪存芯片有整片擦除功能；64 kB 和 256 kB 扇区有扇区擦除（SE）命令（D8h）；4 kB 扇区（仅适用于统一 64 kB 扇区设备）有子扇区擦除（P4E）命令（20h）；8 kB 扇区（仅适用于统一 64 kB 扇区设备）有子扇区擦除（P8E）命令（40h）
- 循环耐久性：每个扇区典型 100,000 次循环
- 数据保留：典型 20 年
- 设备 ID：JEDEC 标准两字节电子签名；RES 命令单字节电子签名用于向后兼容；每个闪存芯片有一次性可编程（OTP）区域用于永久、安全识别，可在工厂或由客户编程和锁定；符合 CFI（通用闪存接口），允许主机系统识别和适配多个闪存设备
- 工艺技术：采用 0.09μm MirrorBit 工艺技术制造
- 封装选项：行业标准引脚排列；16 引脚 SO 封装（300 密耳）；24 球 BGA（6×8 mm）封装，5×5 引脚配置
- 性能特性
- 速度：正常读取（串行）：40 MHz 时钟频率；快速读取（串行）：最大 104 MHz 时钟频率；双 I/O 快速读取：80 MHz 时钟频率或 20 MB/s 有效数据速率；四路 I/O 快速读取：80 MHz 时钟频率或 40 MB/s 有效数据速率
- 节能待机模式：待机模式典型 160μA；深度掉电模式典型 6μA
- 内存保护特性
- 内存保护：W#/ACC 引脚与状态寄存器位配合工作，保护指定内存区域；状态寄存器中的状态寄存器块保护位（BP2、BP1、BP0）将部分内存配置为只读
- 软件特性
- SPI 总线兼容串行接口