- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | - |
商品特性
- 按 MIL - PRF - 19500/255 标准认证
- 当环境温度 TA > +37.5°C 时，线性降额 3.08 mW/°C
- 当环境温度 TA > +63.5°C 时，线性降额 4.76 mW/°C
- 有不同的抗辐射等级，如 JANSM - 3K Rads (Si)、JANSD - 10K Rads (Si)等
- 脉冲测试：脉冲宽度 = 300μs，占空比 ≤ 2.0%