温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MEM2302M3G
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- MEM2302XG系列N沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造，专门用于最小化导通电阻。该器件特别适用于低电压应用，且采用超小型外形表面贴装封装，功耗较低。
- 品牌名称
- MICRONE(南京微盟)
- 商品型号
- MEM2302M3G
- 商品编号
- C70367
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 460mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 510mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@10V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单