FM1808B-PG

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: FM1808B-PG
商品编号: C6196924
商品封装: DIP-28
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

FM1808B是一款采用先进铁电工艺的256千位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，但在其他方面的操作与RAM相同。它可提供38年的数据保留时间，同时消除了电池备份SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使F-RAM优于其他类型的非易失性存储器。FM1808B的系统内操作与其他RAM设备非常相似。最小读写周期时间相等。然而，由于其独特的铁电存储工艺，F-RAM存储器是非易失性的。与BBSRAM不同，FM1808B是真正的单片非易失性存储器。它提供了快速写入的相同功能优势，而没有与模块、电池或混合存储解决方案相关的缺点。这些特性使FM1808B非常适合在字节环境中需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。通孔封装的可用性使得在使用DIP插座的系统中易于插入和移除。器件规格在0°C至+85°C的扩展温度范围内得到保证。

商品特性

组织形式为32768×8位
高耐久性，1万亿（10¹²）次读写
38年数据保留（75°C）
无延迟写入
先进的高可靠性铁电工艺
优于BBSRAM模块
无需电池
单片可靠性
防潮、防震、抗振性能优越
抗负电压下冲
与SRAM和EEPROM兼容
JEDEC 32Kx8 SRAM和EEPROM引脚排列
70 ns访问时间
130 ns周期时间
低功耗运行
15 mA工作电流
25 μA（典型值）待机电流
行业标准配置
扩展温度范围0°C至+85°C
28引脚“绿色”/RoHS PDIP封装

应用领域

非易失性存储应用

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	256Kbit
	工作电压	4.5V~5.5V
	工作电流	15mA
	时钟频率(fc)	-

	属性	参数值
	待机电流	1.8mA；5uA
	睡眠模式电流(Izz)	-
	工作温度	0℃~+85℃
	擦写寿命	1000000000000次
	数据保留 - TDR(年)	38年
	功能特性	-