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DGD0211CWTQ-7

高速单门驱动器

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描述: DIODES™ DGD0211C 单通道高速/低端 MOSFET 和 IGBT 驱动器能够驱动 1.9A 的峰值电流。DGD0211C 的逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平（低至 3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接。DGD0211C 提供同相和反相输入
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DGD0211CWTQ-7
商品编号: C6183498
商品封装: TSOT-25
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

DIODES公司的DGD0211C单通道高速/低端MOSFET和IGBT驱动器能够驱动1.9A的峰值电流。DGD0211C的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与MCU接口。DGD0211C提供同相和反相输入。由于典型传播时间为35ns，典型上升/下降时间为15ns，DGD0211C非常适合用于开关电源和PFC电路等高速应用。 DGD0211C采用TSOT25封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。

商品特性

用于驱动MOSFET和IGBT的高效低成本解决方案
宽电源电压工作范围：4.5V至18V
1.9A源电流/1.8A灌电流输出能力
同相和反相输入配置
快速传播延迟（典型值35ns），快速上升和下降时间（典型值15ns）
逻辑输入（IN、IN*）支持3.3V
扩展温度范围：-40℃至+125℃
完全无铅且完全符合RoHS标准
无卤素和锑，“绿色”器件

应用领域

DC-DC转换器
线路驱动器
电机控制
开关电源

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(3000个/袋，最小起订量 1 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	1.8A
	拉电流(IOH)	1.9A

	属性	参数值
	工作电压	4.5V~18V
	上升时间(tr)	15ns
	下降时间(tf)	15ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	50uA