RHK005N03FRAT146
1个N沟道 耐压:30V 电流:500mA
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RHK005N03FRAT146
- 商品编号
- C6181795
- 商品封装
- TO-236-3(SOT-23-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CWDM3011P是一款高电流硅P沟道增强型MOSFET,专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该MOSFET具备高电流能力,且具有低导通电阻rDS(ON)和低栅极电荷的优势。
商品特性
- 低导通电阻
- 4V驱动
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 开关应用
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