商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.62nF |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装(TO - 252)
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 无卤素
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 开关应用
- RD3P175SNTL1
- RD3T075CNTL1
- D38999/20MD18JNL
- RCP1206B360RJEA
- D38999/20WB2SB-LC
- D38999/20MD18PC-LC
- RCP1206W43R0GS3
- D38999/20MD18SC-LC
- D38999/20WB35BCL
- RCP2512B1K80GEC
- RCP2512W68R0GEA
- D38999/20WB35HNL
- D38999/20MD19HC-LC
- RD4.7E-T1-AZ
- RCPM1H094-R
- D38999/20WB35PD-LC
- D38999/20MD19JNL
- RCQ75110S05
- D38999/20WB4AC
- D38999/20MD35AE
- RD5.1E-T4-AZ