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TK4P60D,RQ(S实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TK4P60D,RQ(S

1个N沟道 耐压:600V

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描述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.4Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 2.5S（典型值）。 低泄漏电流：IPSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.4 至 4.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TK4P60D,RQ(S
商品编号
C6167182
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.50155克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))1.4Ω@10V,2A
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)4pF
类型N沟道
输出电容(Coss)70pF

数据手册PDF

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